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5pcs TRANSISTOR IRFZ44N

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Informations sur le vendeur

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Performance vendeur

Vitesse d'expédition: Excellent

Score Qualité: Excellent

Avis des consommateurs: Moyen

Détails

  • Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
    Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
    extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
    combined with the fast switching speed and ruggedized
    device design that HEXFET power MOSFETs are well
    known for, provides the designer with an extremely efficient
    and reliable device for use in a wide variety of applications.
    The TO-220 package is universally preferred for all
    commercial-industrial applications at power dissipation
    levels to approximately 50 watts. The low thermal
    resistance and low package cost of the TO-220 contribute
    to its wide acceptance throughout the industry.

Fiche technique

Principales caractéristiques

  • Package: TO-220-3
  • Polarité du transistor: N-Channel
  • Nombre de canaux: 1 Channel
  • Tension : 60V
  • Courant continu : 49 A 
  • Résistance drain-source: 17.5 mOhms
  • Tension grille-source: – 20 V, + 20 V
  • Température de fonctionnement min.: – 55 C
  • Température de fonctionnement max.: + 175 C

Vendu avec le produit


Descriptif technique

  • SKU: GE232IP1DL3JENAFAMZ
  • Modèle: 2022
  • Poids (kg): 0.2
  • Couleur: اسود
  • Matière principale: semi condicteur

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