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RJP30E2

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Informations sur le vendeur

Electronic Omar

90%Évaluation du vendeur

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Performance vendeur

Vitesse d'expédition: Bon

Score Qualité: Excellent

Détails

  1. ype Designator: RJP30E2DPP-M0
  2. Type: IGBT
  3. Type of IGBT Channel: N
  4. Maximum Power Dissipation (Pc), W: 25
  5. Maximum Collector-Emitter Voltage -Vce-, V: 360
  6.  Maximum Gate-Emitter Voltage -Vge-, V: 30
  7. Maximum Collector Current -Ic- @25℃, A: 35
  8. Collector-Emitter saturation Voltage -VCE(sat)-, typ,V: 1.7

Fiche technique

Principales caractéristiques

  • Maximum Junction Temperature (Tj), ℃: 150
  • Rise Time (tr), typ, nS: 100
  • Collector Capacity (Cc), typ, pF: 60
  • Total Gate Charge (Qg), typ, nC: 34
  • Package: TO220F

Descriptif technique

  • SKU: TO026EA1FDPB6NAFAMZ
  • Poids (kg): 00.10
  • Couleur: Black
  • Matière principale: silicone
  • Type de garantie: Replacement by Vendor|Repair by Vendor

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